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p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究
Characteristic study of maximum modal gain of p-doped 1.3 μm InAs/GaAs quantum dot lasers

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文摘 对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上,测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗的对应关系,拟合出的最大模式增益为17.5 cm~(-1),与相同结构非掺杂量子点激光器的最大模式增益一致.同时理论分析表明,p型掺杂对InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益并无影响,并且最大模式增益的计算结果与实验值相符.具有较小高度或高宽比的量子点能达到更高的最大模式增益,而较高的最大模式增益对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs自组织量子点激光器在光通信系统中的应用具有重要意义.
其他语种文摘 We report an experimental and theoretical study of maximum modal gain of p-doped 1.3 μm InAs/GaAs quantum dot (QD) lasers. The maximum modal gain of the QD laser with five stacks of QDs is as high as 17.5 cm~(-1), which is the same as that of the undoped laser with identical structures. The expression of the maximum modal gain is derived and it is indicated that p-doping has no effect to the maximum modal gain. We theoretically calculated the maximum modal gain of the QD lasers and the result is in a good agreement with the experimental data. Furthermore, QDs with lower height or smaller aspect ratio are beneficial to achieving a greater maximum modal gain that leads to lower threshold current density and higher differential modal gain, which is good for the application of p-doped 1.3 μm InAs/GaAs QD lasers in optical communications systems.
来源 物理学报 ,2009,58(3):1896-1900 【核心库】
DOI 10.7498/aps.58.1896
关键词 最大模式增益 ; p型掺杂 ; InAs/GaAs量子点激光器
地址

中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室, 北京, 100083

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1000-3290
学科 物理学
基金 国家高技术研究发展计划(863) ;  中国科学院“百人计划”项目 ;  国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:3540519

参考文献 共 16 共1页

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引证文献 2

1 田芃 不同盖层对InAs/GaAs量子点结构和光学性质的影响 物理学报,2010,59(8):5738-5742
被引 3

2 程成 CdSe/ZnS量子点非饱和单模光纤激光器的数值建模 光学学报,2011,31(10):1014001-1-1014001-9
被引 3

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