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低温分子束外延生长GaAs单晶的材料特性
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文摘
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对低温分子束外延生长的GaAs单晶进行了理论分析的实验研究,结果表明,低温分子束外延长的GaAs单晶中密度大约为10~(20)cm~(-3)的过量As原子,这些As原子主要以间隙原子对As的形式位于正常的As格点位置,使LTMBEGaAs单晶的晶格常数相对于SI-GaAs单晶衬底增加约为0.1%.高于300℃的退火即可命名使间隙原子对As_(2i)离解,使过量的As原子形成沉淀.随着退火温度的增加,As沉淀向外延层界面处集中.在外延层界面处As沉淀团与GaAs单晶形成的载流子耗尽区相互重叠,呈现出高阻特性,有效地抑制了FET的背栅和侧栅效应. |
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来源
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中国科学. A辑
, 数学,1996,26(12):1117 【核心库】
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关键词
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低温分子束外延
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GaAs单晶
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晶格常数
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As间隙原子对
;
As沉淀
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背栅和侧栅效应
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地址
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中科院半导体所, 北京
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1006-9232 |
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学科
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物理学 |
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文献收藏号
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CSCD:350817
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参考文献 共
6
共1页
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1.
Yu K M.
J Appl Phys,1992,72:2850
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被引
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2.
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Appl Phys Lett,1992,60:718
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被引
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6.
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被引
1
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