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MPS结构中的光生伏特现象
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文摘
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报道了金属/多孔硅/结构(MPS)中光生伏特效应研究的最新结果,给出了该结构的光谱响应曲线,发现该结构在1100-350nm波长范围具有明显的光谱响应.还测量了开路电压随温度、光照波长及光照强度的变化关系,发现开路电压随温度的降低近似线性增加,其温度系数对于金/多孔硅结构约为2.0mV/K,对于铝/多孔硅结构约为2.8mV/K,与单晶硅及非晶硅太阳电池的温度系数相近,但MPS结构的开路电压随光强的增加不满足对数关系.结果表明,在MPS结构中金属/多孔硅肖特基结对光生伏特效应起了主要作用,而多孔硅/单晶硅异质结的作用是与此相反的. |
来源
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物理学报
,1996,45(10):1615 【核心库】
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DOI
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10.7498/aps.45.1615
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关键词
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金属/多孔硅/单晶硅结构
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光生伏特效应
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金属/多孔硅肖特基结
;
多孔硅/单晶硅异质结构
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地址
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1.
中科院半导体所, 北京, 100083
2.
中科院半导体所, 北京
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语种
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中文 |
文献类型
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研究性论文 |
ISSN
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1000-3290 |
学科
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物理学 |
基金
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:343923
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参考文献 共
5
共1页
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