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文摘
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采用低温荧光光谱测试方法，研究了MBE生长的轻掺硅GaAs材料的杂质特性，并结合Hall测量结果，讨论了MBE关键生长条件V/II束流比等对Si在GaAs中掺杂特性的影响，研究表明掺杂元素Si在GaAs中起两性（施主或受主）杂质作用，适当提高V/II束流比可以抑制Si的自补偿效应，从而减小载流子的补偿度，进一步提高迁移率。通过优化生长条件，本实验已获得了杂质浓度小于10~(13) cm~(-3)，77 K下迁移率大于1.6 X 10~5cm~2/V.s的高纯、高迁移率GaAs材料。 |
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来源
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固体电子学研究与进展
,1996,16(2):133 【核心库】
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关键词
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光荧光
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硅掺杂
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分子束外延
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地址
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1.
中科院半导体所, 北京
2.
中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1000-3819 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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文献收藏号
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CSCD:343305
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