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热处理过程中纳米非晶Si-N-C粉的晶化及微结构变化研究

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李亚利 1   梁勇 2   郑丰 3   肖克沈 3   胡壮麒 1  
文摘 在1473～1972K温度范围内对激光合成的、平均粒径为30nm的非晶Si-N-C粉进行热处理(latm.N_21h),研究了粉体的晶化及微结构变化.结果表明,纳米非晶Si_N-C粉具有短程有序的亚稳结构,此亚稳结构在>1523K发生稳定固相分离,在1773K开始形成α-Si_3N_4,β-SiC,此时粒子间出现明显的表面扩散形成粒子簇;到1873K晶化加剧,α-Si_3N_4和β-SiC明显增多,并有少量的石墨碳形成.在1773～1873K,由固相分离形成α-Si_3N_4/β-SiC纳米复合结构.
来源 无机材料学报 ,1996,11(1):162 【核心库】
关键词 热处理 ; 晶化 ; 微结构 ; 纳米粉
地址

1. 中科院金属所, 快速凝固非平衡合金国家重点实验室, 辽宁, 沈阳  

2. 中科院金属所, 辽宁, 沈阳, 110015  

3. 中科院金属所, 辽宁, 沈阳

语种 中文
文献类型 简报
ISSN 1000-324X
学科 化学工业
文献收藏号 CSCD:335230

参考文献 共 3 共1页

1.  Lang F F. J Am Ceram Soc,1982,58(9):445 被引 1 次    
2.  李亚利. Mater Sci Eng A,1994,174:L23 被引 2 次    
3.  李亚利. 纳米非晶Si↓3N↓4粉的晶化及粒子长大行为研究. 无机材料学报,1994,9(3):293 被引 4 次    
引证文献 4 篇

1 刘渝珍 纳米SiC蓝光发射的研究 发光学报,1999,20(1):50
被引 1 次

2 陈远志 Si_3N_4/SiC纳米复相陶瓷研究进展 中国陶瓷,1999,35(2):34
被引 0 次

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