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多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰

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文摘 通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件,研究了它的发光峰形状的变化。第一次从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激发谱和发射光谱,其半峰值宽度约小于10nm。讨论了形成针形峰的可能机理。
来源 半导体学报 ,1996,17(4):318 【核心库】
地址

中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京

语种 中文
文献类型 简报
ISSN 0253-4177
学科 物理学
文献收藏号 CSCD:335045

参考文献 共 3 共1页

1.  张丽珠. 大气中存放的多孔硅的红外吸收与光致发光的时间演化. 半导体学报,1992,13(11):715 被引 10 次    
2.  夏永伟. 染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性. 半导体学报,1994,15(10):681 被引 1 次    
3.  Zheng J P. Appl Phys Lett,1992,61(4):459 被引 10 次    
引证文献 2 篇

1 马丽珍 多孔硅光电特性及其应用 陕西师范大学学报. 自然科学版,1999,27(4):57
被引 0 次

2 郭芳侠 低温下多孔硅电学性质研究 陕西师范大学学报. 自然科学版,2000,28(4):42
被引 3 次

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