文摘
|
建立了一种新的功率MOSFET等效电路,以便利用先进的电路模拟软件PSPICE对功率MOSFET所有特性进行模拟和分析。对IR公司的各类HEXFET进行的模拟结果与其数据手册中的实验曲线十分吻合,表明该模型具有较高的精确性。 |
来源
|
半导体学报
,1996,17(4):289 【核心库】
|
关键词
|
功率MOSFET等效电路
;
PSPICE
|
地址
|
1.
西安理工大学自动化工程系, 陕西, 西安
2.
中科院半导体所, 北京
|
语种
|
中文 |
文献类型
|
研究性论文 |
ISSN
|
0253-4177 |
学科
|
物理学 |
文献收藏号
|
CSCD:335040
|