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GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究

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文摘 报道了非平面衬底上分子束外延生长GaAs脊形量子线结构的实验研究。已成功地在GaAs(001)刻蚀条形衬底上生长出了由(111)面和(113)面构成的两种脊形量子线结构。讨论了非平面衬底上MBE生长脊形结构的形成机制,认为在一定的生长条件下,脊形结构的表面取向是由两个原始交界面上生长速率的相对差异决定的;而生长速率的差异是由表面再构的不同决定的。
来源 半导体学报 ,1996,17(3):227 【核心库】
地址

中科院半导体所, 北京

语种 中文
文献类型 简报
ISSN 0253-4177
学科 物理学
文献收藏号 CSCD:335028

参考文献 共 4 共1页

1.  牛智川. Joint Symposium on Electronic and Optoelectronic Materials,1994 被引 1 次    
2.  Zhou J. Appl Phys Lett,1994,64:583 被引 1 次    
3.  牛智川. 被引 1 次    
4.  牛智川. Proceedings of the 22nd International Symposium on COmpound Semoconductors,1995 被引 1 次    
引证文献 8 篇

1 牛智川 InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究 物理学报,1997,46(5):969
被引 4 次

2 牛智川 GaAs脊形量子线发光性质的光致发光谱研究 半导体学报,1998,19(11):871
被引 0 次

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牛智川 0000-0002-9566-6635
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