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异质结电荷注入晶体管

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文摘 通过对GaAs/AlGaAs异质结电荷注入晶体管结构和工艺的探索研究,以及对器件工作特性的测量分析,在理论上给出了器件过程的物理机制,并对器件结果提出了进一步的改进措施。
来源 半导体学报 ,1996,17(3):203 【核心库】
关键词 GaAs/AlGaAs异质结电荷 ; 注入 ; 晶体管
地址

中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 物理学
文献收藏号 CSCD:335023

参考文献 共 0

引证文献 1 篇

1 郭维廉 双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量 半导体学报,2008,29(1):136-139
被引 0 次

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杨小平 0000-0002-3680-628X
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