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外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响
Effects of external magnetic field on the effective g factor of (Ga,Mn) As

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文摘 利用时间分辨Kerr旋光技术测量低温下稀磁半导体Ga_(0.937)Mn_(0.063)As中光注入极化载流子的自旋进动信号,并观察到自旋极化载流子的有效g因子值随外磁场的增强而增大的反常现象.这归结于磁场导致局域化空穴转化为非局域化空穴,从而使自发磁化强度增强,有效g因子值增大.基于此物理图像,进一步给出了(Ga,Mn)As的有效g因子与外磁场的关系式.
其他语种文摘 With the help of time resolved magneto-optic Kerr rotation measurements,the optically induced spin precession in heavily doped diluted magnetic semiconductor Ga_(0.937)Mn_(0.063)As was observed.It was found that the effective g factor increases with increasing magnetic field,which is attributed to the magnetic-field-induced increase of the density of the non-localized holes.Those free holes will couple with the localized magnetic ions by p-d interactions,leading to the formation of spontaneous magnetization in Ga_(0.937)Mn_(0.063)As,which in turn to the enhancement of the effective g factor.
来源 物理学报 ,2008,57(8):5244-5248 【核心库】
DOI 10.7498/aps.57.5244
关键词 时间分辨Kerr旋光测量 ; Zeeman效应 ; Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida模型
地址

中国科学院半导体研究所, 超晶格与微结构国家重点实验室, 北京, 100083

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1000-3290
学科 物理学
基金 国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:3339694

参考文献 共 23 共2页

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引证文献 1

1 苏平 超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究 物理学报,2011,60(2):027105-1-027105-6
被引 0 次

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