缺陷俘获势垒测定新方法——瞬态光霍耳谱

封松林 ¹ 王海龙 ² 周洁 ³ 杨锡震 ⁴

文摘	以瞬态光霍尔测量为基础,建立了观测俘获过程的深中心分析测试新手段.该方法不需要做肖特基结、p-n结、或MIS结构,几乎可在零电场下测量缺陷参数,克服电场、德拜带尾、非指数瞬态等对缺陷特性的影响,也克服了深能级瞬态谱技术(DLTS)只能通过载流子发射过程间接测量俘获参数的缺点.用此方法测量了Ga_(0.7)Al_(0.3)As中DX中心的俘获势垒.
来源	红外与毫米波学报 ,1996,15(1):1 【核心库】
关键词	瞬态光霍耳谱 ; 俘获势垒 ; 缺陷 ; 半导体
地址	1. 中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京, 100083 2. 曲阜师范大学物理系, 山东, 曲阜 3. 中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 4. 北京师范大学物理系, 北京, 100875
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	1001-9014
学科	物理学
基金	国家自然科学基金
文献收藏号	CSCD:327011

参考文献共 1 共1页

1. Zhou B L. Appl Phys A,1988,28:223

被引 1 次

引证文献 2 篇

1 王海龙等效深中心研究新方法——瞬态光霍耳和光电阻率谱光电子·激光,1999,10(4):325
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2 王海龙 MOCVD生长的未掺杂的In_（1-x）Ga_xP中的本征缺陷光电子·激光,1999,10(4):344
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封松林 0000-0001-5515-2034 王海龙 0000-0001-9884-4460

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