直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO_2薄膜反射率性质的影响
Growth Conditions and Reflectance of D C Magnetron Sputtered Tio_2 Films
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文摘
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应用直流反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO_2薄膜，利用n＆k仪对薄膜的反射率进行检测，结果表明TiO_2薄膜可以作为太阳电池减反射薄膜应用，并且通过改变工艺条件可以调控薄膜的反射低谷。当总压强为2×10~(-1)Pa、O_2流量为15sccm、靶基距为190mm、温度为60℃的条件下制备的TiO_2薄膜的减反射效果最好。 |
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其他语种文摘
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The reflectance of the TiO_2 films, grown by D C reactive magnetron sputtering on silicon substrates, was studied. The results show that TiO_2 films can be good anti-reflectance materials in solar cells and that judicious choice of the film growth conditions may improve its anti-reflectance. The optimized growth conditions are as follows：total gas pressure 2 ×10~(-1) Pa,oxygen flow rate, 15 sccm,substrate temperature,60℃ and substrate-target separation, 190 mm. |
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来源
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真空科学与技术学报
,2008,28(1):55-58 【扩展库】
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关键词
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直流反应磁控溅射
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二氧化钛薄膜
;
太阳电池
;
反射率
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地址
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1.
沈阳航空工业学院, 辽宁, 沈阳, 110034
2.
东北大学, 辽宁, 沈阳, 110004
3.
中山大学, 广东, 广州, 510275
4.
中国科学院金属研究所, 辽宁, 沈阳, 110016
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1672-7126 |
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学科
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化学 |
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基金
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国家自然科学基金
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辽宁省教育厅科技攻关项目
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文献收藏号
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CSCD:3204854
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参考文献 共
11
共1页
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1.
Forouhi A R.
Phys Rev B,1986,34:7018
|
被引
30
次
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2.
Forouhi A R.
Phys Rev B,1988,38:1865
|
被引
16
次
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3.
Gao Y M.
Mater Res Bull,1992,27:1023
|
被引
5
次
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4.
Hagfeldt A.
J Electrochem Soc,1994,141:82
|
被引
1
次
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5.
Hagfeldt A.
Chem Rev,1995,95:49
|
被引
306
次
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6.
Hugot-Le A.
J Electrochem Soc,1995,142:38
|
被引
1
次
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|
7.
O'Regan B.
Nature,1991,353:737
|
被引
1339
次
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|
8.
Pulker H K.
Amsterdam:Elsevier,1984,6:370
|
被引
1
次
|
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|
9.
张正华.
有机太阳电池与塑料太阳电池,2006:8
|
被引
1
次
|
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10.
Forouhi A R.
US Patent No.4905170,1990
|
被引
1
次
|
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|
11.
Fujishima A.
J Photoehem Photobiol C:Photoehem Rev,2000,1:1
|
被引
572
次
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