文摘
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研究了SiGe/Si量子阱中近带边光跃迁的产生机制,对由杂质无规分布引起的近带边光跃迁给出了一个物理模型.用此模型计算了光跃迁偶极矩,给出了跃迁偶极矩的上限.提出了未掺杂SiGe/Si量子阱中近带边光跃迁的一种跃迁机制,认为是Ge原子周围波函数畸变的集体行为.用MBE方法生长了掺杂SiGe/Si量子阱材料,在低温下观测到近带边光跃迁. |
来源
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发光学报
,1996,17(4):311 【核心库】
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关键词
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SiGe/Si量子阱
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光跃迁
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地址
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1.
中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京
2.
中科院物理所, 北京
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语种
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中文 |
文献类型
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研究性论文 |
ISSN
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1000-7032 |
学科
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物理学 |
文献收藏号
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CSCD:315069
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