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锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究

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董文甫 1   王启明 1   杨沁清 1   谢小刚 2   周钧铭 2   黄绮 2  
文摘 研究了SiGe/Si量子阱中近带边光跃迁的产生机制,对由杂质无规分布引起的近带边光跃迁给出了一个物理模型.用此模型计算了光跃迁偶极矩,给出了跃迁偶极矩的上限.提出了未掺杂SiGe/Si量子阱中近带边光跃迁的一种跃迁机制,认为是Ge原子周围波函数畸变的集体行为.用MBE方法生长了掺杂SiGe/Si量子阱材料,在低温下观测到近带边光跃迁.
来源 发光学报 ,1996,17(4):311 【核心库】
关键词 SiGe/Si量子阱 ; 光跃迁
地址

1. 中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京  

2. 中科院物理所, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1000-7032
学科 物理学
文献收藏号 CSCD:315069

参考文献 共 0

引证文献 1

1 高月娟 用于超短脉冲CO_2激光的半导体光开关理论建模与数值分析 中国光学(中英文),2020,13(3):577-585
被引 3

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