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由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器

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文摘 报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射半导体光器,DBR中的AlAs经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层,器件的最低阈值电流为3.8mA,输出功率大于1mW,发散角小于7.8°,高频测量脉冲上升沿达100ps,并制成了2×3列阵器件.
来源 半导体学报 ,1996,17(11):873 【核心库】
关键词 腐蚀 ; 氧化法 ; GaAs/AlGaAs ; 垂直腔面发射激光器
地址

中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京

语种 中文
文献类型 简报
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:306391

参考文献 共 1 共1页

1.  林世鸣. 高技术通讯,1994(4):11 被引 1    
引证文献 8

1 康学军 GaAs VCSEL/MISS混合集成光子开关 高技术通讯,1997,7(7):36
被引 0 次

2 康学军 Photonic AND Gate Based on Hybrid Integration of GaAs VCSEL and GaAs MISS 半导体学报,1999(8):717
被引 0 次

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