文摘
|
报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射半导体光器,DBR中的AlAs经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层,器件的最低阈值电流为3.8mA,输出功率大于1mW,发散角小于7.8°,高频测量脉冲上升沿达100ps,并制成了2×3列阵器件. |
来源
|
半导体学报
,1996,17(11):873 【核心库】
|
关键词
|
腐蚀
;
氧化法
;
GaAs/AlGaAs
;
垂直腔面发射激光器
|
地址
|
中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京
|
语种
|
中文 |
文献类型
|
简报 |
ISSN
|
0253-4177 |
学科
|
电子技术、通信技术 |
基金
|
国家自然科学基金
|
文献收藏号
|
CSCD:306391
|