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InGaAsP/InP MQW电流控制型双稳/非线性增益开关激光器

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文摘 一种电流控制型二端及三端MOW(多量子阱)InGaAsP/InP双区共腔双稳/非线性增益开关激光器业已研制成功,文中报道了部分结果.
来源 半导体学报 ,1996,17(11):813 【核心库】
关键词 InGaAsP/InP ; MQW ; 双稳/非线性增益开关激光器
地址

中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家863计划 ;  国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:306381

参考文献 共 4 共1页

1.  李建蒙. CCTS结构GaAs/AlGaAs单量子阱双稳态激光器. 半导体学报,1990,11:481 被引 2 次    
2.  熊飞克. GaAs/GaAlAs多量子阱（CCTS）结构双稳态激光器的实验研究. 半导体学报,1995,16:354 被引 1 次    
3.  张敬明. 1994年光电子器件与集成技术年会论文集 被引 1 次    
4.  张权生. 低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器. 半导体学报,1992,13:103 被引 6 次    
引证文献 1 篇

1 张权生 InGaAsP/InP有源时分光子交换器件 高技术通讯,1998,8(1):1
被引 0 次

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