自组织生长InAs量子点发光的温度特性

吕振东 ¹ 杨小平 ¹ 袁之良 ¹ 徐仲英 ¹ 郑宝真 ¹ 许继宗 ¹ 陈弘 ² 黄绮 ² 周均铭 ² 王建农 ³ 王玉琦 ³ 葛惟昆 ³

文摘	报道了InAs/GaAs自组织生长量子点结构中发光的温度特性.在12～150K温度范围内,实验测得的InAs激子发光能量随温度增加明显红移,其红移速率远大于InAs带隙的温度关系,而光谱宽度则明显减小.这些结果表明InAs量子点结构是一种强耦合系统,局域在InAs量子点中的载流子波函数会相互交迭、相互贯穿,从而增强了载流子的弛豫过程.
来源	半导体学报 ,1996,17(10):793 【核心库】
关键词	自组织生长 ; InAs量子点 ; 发光 ; 温度特性
地址	1. 中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 2. 中科院物理所, 北京 3. 香港科技大学物理系, 香港
语种	中文
文献类型	简报
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
基金	国家自然科学基金 ; 国家攀登计划项目
文献收藏号	CSCD:306377

参考文献共 3 共1页

	1. Wang P D. Appl Phys Lett,1994,64:1526	被引 8 次
	2. Yuan Z L. Phys Rev B	被引 1 次
	3. Xie Qianghua. J Crystal Growth,1995,150:357	被引 2 次

引证文献 1 篇

1 吴正云 In_(0.4)Ga_(0.6)As/GaAs自组织量子点的光伏谱温度特性光电子·激光,2000,11(4):366
被引 0 次

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杨小平 0000-0002-3680-628X

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