帮助 关于我们

返回检索结果

重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响
Band gap Narrowing in heavily B doped Si1-xGex strained layers

查看参考文献13篇

文摘 硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGe HBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应变,从而改变应变引起的带隙变化.在重掺B的应变SiGe能带结构研究中,采用半经验方法,考虑了B的应变补偿作用对能带的影响,对Jain-Roulston模型进行修正,并分析了重掺杂引起的带隙收缩在导带和价带的分布.
其他语种文摘 This paper presents a comprehensive study of the effect of heavy B doping and strain in Si_ 1-xGe_x strained layers.On the one hand,bandgap narrowing(BGN)will be generated due to the heavy doping,on the other hand,the dopant boron causes shrinkage in the lattice constant of SiGe materials,thus will compensate for part of the strain.Taking the strain compensation of B into account for the first time and uesing the with semi-empirical method,the Jain-Roulston model is modified.And the real BGN distributed between the conduction and valence bands is calculated,which is important for the accurate design of SiGe HBTs.
来源 物理学报 ,2007,56(11):6654-6659 【核心库】
DOI 10.7498/aps.56.6654
关键词 SiGe材料 ; 应变 ; 带隙收缩(BGN) ; Jain-Roulston模型
地址

中国科学院半导体研究所, 集成光电子国家重点实验室, 北京, 100083

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1000-3290
学科 物理学
基金 国家863计划 ;  国家973计划 ;  国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:3002720

参考文献 共 13 共1页

1.  姚飞. 微纳电子技术,2003,40:5 被引 2    
2.  周守利. 重掺杂能带结构的变化对突变HBT电流影响. 半导体学报,2006,27:110 被引 3    
3.  Jain S C. Solid-State Electron,1991,34:453 被引 20    
4.  Zelika M K. IEEE Trans. Electron. Devices,1996,43:457 被引 1    
5.  Van Teeffelen S. Journal of Physics-Condensed Matter,2003,15:489 被引 1    
6.  Paul D J. Semicond. Sci. Technol,2004,19:75 被引 9    
7.  Maszara W P. J. Appl. Phys,1992,9:4477 被引 2    
8.  Herzog H J. J. Electrochem. Soc,1984,131:2969 被引 2    
9.  成步文. 半导体学报,2005,26:39 被引 1    
10.  成步文. 带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态. 物理学报,2005,54:4350 被引 4    
11.  Jain S C. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Materials Research Society,2001,677:4 被引 1    
12.  Dong W F. Chin. Phys,1996,5:456 被引 3    
13.  Ma L. A novel type of ultra fast and ultra soft recovery SiGe/Si heterojunction power diode with an ideal ohmic contact. Chin. Phys,2004,13:1114 被引 13    
引证文献 3

1 谭平安 负微分电导下晶闸管的动力学行为与混沌现象 物理学报,2010,59(6):3747-3755
被引 2

2 张学贵 离子束溅射自组装Ge/Si量子点生长的演变 物理学报,2011,60(9):096101-1-096101-7
被引 7

显示所有3篇文献

论文科学数据集
PlumX Metrics
相关文献

 作者相关
 关键词相关
 参考文献相关

版权所有 ©2008 中国科学院文献情报中心 制作维护:中国科学院文献情报中心
地址:北京中关村北四环西路33号 邮政编码:100190 联系电话:(010)82627496 E-mail:cscd@mail.las.ac.cn 京ICP备05002861号-4 | 京公网安备11010802043238号