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GaN的MOVPE生长和m-i-n型蓝光LED的试制

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来源 高技术通讯 ,1996,6(3):1 【核心库】
关键词 蓝色发光二极管 ; 金属有机物气相外适 ; GaN
地址

中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1002-0470
学科 物理学
基金 国家863计划
文献收藏号 CSCD:298175

参考文献 共 2 共1页

1.  陆大成. GaN的MOCVD生长. 半导体学报,1995,16:831 被引 8 次    
2.  陆大成. Moterials Science and Engineering B,1995,29:58 被引 1 次    
引证文献 1 篇

1 王晓晖 用于GaN生长的蓝宝石衬底化学抛光研究 半导体学报,1997,18(11):867
被引 8 次

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