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电子束辐照对InP（100）表面硫钝化的增强作用

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陈维德 1   李秀琼 2   段俐宏 1   谢小龙 1  
文摘 采用含有过量硫的(NH_4)_2S_x对InP(100)表面进行化学钝化和辉光放电电子束辐照处理,液氮下光致发光强度比未辐射的光致发光强度提高了1.5倍,比未钝化的提高了5倍.利用X射线光电子谱研究了电子辐照对InP表面硫钝化的影响.结果表明,硫钝化InP表面经电子束辐照可以促使S与InP更好的化合.
来源 半导体学报 ,1996,17(7):518 【核心库】
关键词 电子束辐照 ; InP（100）表面 ; 硫钝化 ; 增强
地址

1. 中科院半导体所, 表面物理国家重点实验室, 北京  

2. 中科院微电子中心, 北京, 100010

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:297280

参考文献 共 4 共1页

1.  Wang Y. J Appl Phys,1992,71(6):2746 被引 2 次    
2.  陈维德. GaAs（100）的（NH↓4）↓2S↓x和P↓2S↓5/（NH↓4）↓2S↓x表面钝化. 物理学报,1995,44(8):1328 被引 1 次    
3.  陈维德. Acta Physica Sinica (overseas edition),1995,4(11):859 被引 1 次    
4.  Li X Q. Vacuum,1993,44(10):987 被引 1 次    
引证文献 1 篇

1 陈维德 气相和溶液多硫化物钝化InP表面的XPS和AFM研究 真空科学与技术学报,1999,19(3):21
被引 0 次

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