窄发散角量子阱激光器的结构设计与分析

杨国文徐俊英张敬明徐遵图陈良惠王启明

文摘	对GaAs/AlGaAs量子阱结构激光器中重要的结构参数与远场垂直发散角的关系作了系统的理论计算与分析,提出了实现20°~30°垂直发散角的有效途径,并同时研究了对激光器的光功率限制因子、阈值电流密度等重要参数的影响.
来源	半导体学报 ,1996,17(7):500 【核心库】
关键词	GaAs/AlGaAs量子阱 ; 激光器
地址	中科院半导体所, 北京
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
文献收藏号	CSCD:297277

参考文献共 2 共1页

	1. 徐遵图. 低阈值基横模脊形波导GaAs/AlGaAs单量子阱激光器. 半导体学报,1995,16(8):598	被引 2 次
	2. 杨国文. MBE生长高质量GaAs/AlGaAs量子阱激光器. 半导体学报,1994,15(9):650	被引 5 次

引证文献 2 篇

1 王俊大功率宽面808nm GaAsP／AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计半导体学报,2005,26(12):2449-2454
被引 2 次

2 戴银带有模式扩展层的小发散角激光器模拟研究中国激光,2014,41(11):1102004-1-1102004-7
被引 0 次

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