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抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器
Radiation-Hardened 128kb PDSOI CMOS Static RAM

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赵凯 ¹ 刘忠立 ¹ 于芳 ¹ 高见头 ¹ 肖志强 ² 洪根深 ²

文摘	介绍在部分耗尽绝缘体上硅(PD SOI)衬底上形成的抗辐射128kb静态随机存储器.在设计过程中,利用SOI器件所具有的特性,对电路进行精心的设计和层次化版图绘制,通过对关键路径和版图后全芯片的仿真,使得芯片一次流片成功.基于部分耗尽SOI材料本身所具有的抗辐射特性,通过采用存储单元完全体接触技术和H型栅晶体管技术,不仅降低了芯片的功耗,而且提高了芯片的总体抗辐射水平.经过测试,芯片的动态工作电流典型值为20mA@10MHz,抗总剂量率水平达到500krad(Si),瞬态剂量率水平超过2.45×10~(11) rad(Si)/s.这些设计实践必将进一步推动PD SOI CMOS工艺的研发,并为更大规模抗辐射电路的加固设计提供更多经验.
其他语种文摘	A radiation-hardened 128kbit asynchronous SRAM fabricated in partial depletion silicon on insulator substrate is presented. Special characteristics of SOI devices are used in the design process. After careful circuit design,hierarchical layout design,and simulation of critical path, the SRAM chip was fabricated in the first turn-out. Besides the radiation-hardened characteristics of SOI material,fully-body-tied 6T memory cell and H-type gate MOSFETs techniques are also implemented in this PDSOI SRAM. These advanced techniques reduce the power consumption and raise the radiation-hardened level of this SRAM. The final testing shows that the 128k bit SOI SRAM has a typical operating current of 20mA at 10MHz, total dose tolerance of 500krad(Si) , and dose rate survivability of 2.45×10~(11) rad (Si)/s. The implementation of radiation-hardened 128k SOI SRAM will accelerate the development of PD SOI CMOS processes, and will surely contribute more to the radiation design of VLSI circuits in the future.
来源	半导体学报 ,2007,28(7):1139-1143 【核心库】
关键词	部分耗尽绝缘体上硅 ; 静态随机存储器 ; 加固设计
地址	1. 中国科学院半导体研究所, 北京, 100083 2. 中国电子科技集团第58研究所, 无锡, 214035
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	自动化技术、计算机技术
文献收藏号	CSCD:2836022

参考文献共 6 共1页

	1. Kuang J B. SRAM bitline circuits on PD SOI:advantages and concerns. IEEE J Solid-State Circuits,1997,32(6):837	被引 3 次
	2. 赵凯. 8μm PD SOI CMOS 128K SRAM的设计及仿真. 第六届全国SOI技术研讨会论文集,2005:120	被引 1 次
	3. Damiano J. Integrated dynamic body contact for H-gate PD-SOI MOSFETs for high performance/low power. IEEE International SOI Conference,2004:115	被引 2 次
	4. Lu P F. Floating body effects in partially depleted SOI CMOS circuits. IEEE J Solid-State Circuits,1997,32(8):1241	被引 2 次
	5. . http:// www.ssec.honeywell.com/aerospace/datasheets/HLX6256.pdf	被引 1 次
	6. Lu H. 1-M bit SRAM on SIMOX material. Proc IEEE Int SOI Conf,1993:182	被引 2 次

引证文献 5 篇

1 Liu Mengxin A Total Dose Radiation Hardened PDSOI CMOS 3-Line to 8-Line Decoder 半导体学报,2008,29(6):1036-1039
被引 0 次

2 刘梦新 RF PDSOI LDMOS器件的电离总剂量辐照效应半导体学报,2008,29(11):2158-2163
被引 0 次

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