HEMT材料的电子辐射效应

林理彬 ¹ 李有梅 ¹ 陈卫东 ¹ 蒋锦江 ¹ 孙梅影 ²

文摘	用能量为1～1．8MeV、注量为10~13～10~17／cm~2的电子, 对HEMT（高电子迁移率晶体管）材料进行辐照, 得到了材料结构中的二维电子气（2DEG）的电输运性质随辐照电子能量和注量的变化关系, 并进行了讨论。还将该结果与电子辐照P-HEMT和LT-HEMT材料的结果进行了比较, 对异质结界面的辐照效应进行了分析。
来源	四川大学学报. 自然科学版 ,1995,32(1):39 【核心库】
关键词	辐照效应 ; HEMT材料 ; 异质结
地址	1. 四川大学物理系, 四川, 成都 2. 中科院半导体所, 北京, 100083
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0490-6756
学科	物理学
文献收藏号	CSCD:281030

参考文献共 2 共1页

	1. Zhou J M. J Crystal Growth,1991,111:288	被引 1 次
	2. Wu Y S. J Appl Phys B,1988,3:2154	被引 1 次

引证文献 5 篇

1 黄万霞质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响半导体学报,1999,20(11):957
被引 5 次

2 廖志君粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷四川大学学报. 自然科学版,2000,37(5):715
被引 3 次

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