GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件

吴荣汉高文智赵军段海龙林世鸣钟战天黄永箴王启明

文摘	采用分子束外延技术生长含有大周期数的GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)及分布布喇格反射器(DBR)的PIN结构器件。研究了量子限制斯塔克效应(QCSE),分布布喇格反射及非对称腔模(ASFP)效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响,给出研制的反射型光调制器及自电光效应器件的实验结果,对于常通型及常闭型调制器,其两态衬比度可达10 dB。所研制的SEED器件,其导通光能耗低于10 fJ/(μm)~2,实现其光学双稳态及R-S光触发器工作。
来源	光子学报 ,1995,24(5):388 【核心库】
关键词	多量子阱 ; 光调制器 ; S-SEED
地址	中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	1004-4213
学科	物理学
基金	国家自然科学基金
文献收藏号	CSCD:270639

参考文献共 3 共1页

	1. Yan R H. IEEE Photon Technol Lett,1989,1(9):273	被引 4 次
	2. Yan R H. IEEE Quantum Electronics,1991,27(7):1992	被引 1 次
	3. Yan R H. J Appl Phys,1990,68(2):875	被引 1 次

引证文献 3 篇

1 陈弘达多量子阱空间光调制器二维列阵半导体学报,1997,18(5):356
被引 3 次

2 陈弘达多量子阱自电光效应器件及其负阻特性天津大学学报. 自然科学与工程技术版,1998,31(2):211
被引 0 次

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