用纳米非晶Si/N/C粉原位合成Si↓3N↓4晶须

李亚利 ¹ 梁勇 ² 高阳 ² 肖克沈 ² 郑丰 ² 王亚庆 ² 胡壮麒 ¹

文摘	采用激光诱导有机硅烷气相合成的纳米非晶Si/N/C粉为原料,在1600℃,101.3kPa N_2气下,在石墨感应炉中原位制备出α-Si_3N_4晶须,其直径为0.1-0.5μm,长可达几毫米,纯度较高,无过剩碳及金属杂质。
来源	材料研究学报 ,1995,9(2):149 【核心库】
关键词	Si↓3N↓4 ; 晶须 ; 纳米粉 ; 非晶 ; Si/N/C
地址	1. 中科院金属所, 快速凝固非平衡合金国家重点实验室, 辽宁, 沈阳 2. 中科院金属所, 辽宁, 沈阳
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	1005-3093
学科	物理学
文献收藏号	CSCD:263525

参考文献共 3 共1页

引证文献 1 篇

1 裘式纶纳米材料研究进展Ⅱ：纳米材料的制备,表征与应用化学研究与应用,1998,10(4):1
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