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Band-inhomogeneity in GaAs single crystal grown in space

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来源 半导体学报 ,1995,16(2):158 【核心库】
关键词 GaAs单晶生长 ; 空间 ; 非同类带
地址

中科院半导体所, 北京

语种 中文
文献类型 简报
ISSN 0253-4177
学科 物理学
文献收藏号 CSCD:262112

参考文献 共 3 共1页

1.  Zhou Bojun. 半导体学报,1988,9(3):309 被引 1    
2.  Wang Z G. J Appl Phys,1990,67(3):1521 被引 4    
3.  Cao Funian. 半导体学报,1980,1:37 被引 1    
引证文献 1

1 周伯骏 中国首根太空砷化镓单晶的表面形貌和某些设计考虑 半导体学报,1999,20(4):324
被引 0 次

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