GaAs/AlGaAs二维电子气（2DEG）散射机理研究

杨斌陈涌海王占国梁基本廖奇为林兰英

文摘	采用三角阱近似,计算了GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)电子只占据基态子带时,由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂质、本底电离杂质合金无序以及界面粗糙等七种主要的散射机制决定的电子迁移率与温度、2DEG浓度、本底电离杂质浓度、以及界面不平整度等的关系。理论计算结果与实验符合很好。
来源	半导体学报 ,1995,16(4):248 【核心库】
关键词	GaAs/AlGaAs二维电子气 ; 散射机理 ; 电子迁移率
地址	中科院半导体所, 北京
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	物理学
文献收藏号	CSCD:262095

参考文献共 0

引证文献 4 篇

1 杨斌高电子迁移率GaAs/Al↓xGa↓（1-x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究半导体学报,1995,16(9):706
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2 夏传-- 高质量二维电子气材料研制及其器件应用中国科学基金,1996(1):54
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