GaAs/AlGaAs多量子阱二维面阵红外探测器

李晋闽 ¹ 郑海群 ² 曾一平 ² 孔梅影 ²

文摘	报道10×16元二维面阵GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研究进展。通过表面光栅耦合,采用垂直入射的工作模式,在T=80K时探测率为2.9×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W,电压响应率为1.3×10~4V/W。各测试单元间探测率和电压响应率的偏差小于18％,串音小于0.45％,在最大探测率偏置条件下,器件的暗电流密度为6.2×10~(-6)A/cm~2。
来源	半导体学报 ,1995,16(1):48 【核心库】
关键词	GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器 ; 二维面阵红外探测器
地址	1. 中科院半导体所, 北京, 100083 2. 中科院半导体所, 北京
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	物理学
文献收藏号	CSCD:262094

参考文献共 1 共1页

1. Wang Y H. Appl Phys Lett,1993,62(6):621

被引 2 次

引证文献 2 篇

1 史衍丽 Novel Type of Wide-Bandwidth GaAs/AlGa As Infrared Photodetectors 半导体学报,2000,21(7):630
被引 0 次

2 史衍丽新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器暗电流特性半导体学报,2001,22(4):503
被引 3 次

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李晋闽 0000-0002-0900-2497

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