GaN的MOCVD生长

陆大成汪度王晓晖董建荣刘祥林高维滨李成基李蕴言

文摘	GaN是重要的蓝光半导体材料。以TMGa和BH_3为源在(0112)α-Al_2O_3衬底上成功的用MOCVD方法生长了GaN外延层,研究了GaN的表面形貌与结晶学、电学和光学特性。GaN(2110)面的双晶回摆曲线衍射峰的最小半高宽已达16'。并观测到GaN所发出的紫外可见光波段的阴极荧光。
来源	半导体学报 ,1995,16(11):831 【核心库】
关键词	GaN ; MOCVD生长
地址	中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
文献收藏号	CSCD:262090

参考文献共 2 共1页

	1. 陆大成. Ga↓（1-x）In↓xSb/GaSb应变层超晶格的MOVPE生长. 半导体学报,1992,13:584	被引 2 次
	2. Sun C J. Appl Phys Lett,1993,63:973	被引 2 次

引证文献 8 篇

1 陆大成 GaN的MOVPE生长和m-i-n型蓝光LED的试制高技术通讯,1996,6(3):1
被引 1 次

2 刘祥林高纯氮化镓外延材料的制备高技术通讯,1998,8(8):35
被引 1 次

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