文摘
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在国产第一台CEB(Chemical beam epitaxy)设备上,用GSMBE(Gas source molecular beam epitaxy)技术在国内首次研究了InGaAs/InP匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长,用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料,并用双晶X-射线衍射技术对样品进行了测试和分析。结果表明,我们在国产地一台CBE设备上用GSMBE技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好。 |
来源
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半导体学报
,1995,16(10):725 【核心库】
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关键词
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InGaAs/InP超晶格材料
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GSMBE生长
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地址
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1.
中科院半导体所, 北京
2.
中科院西安光学精密机械所, 陕西, 西安
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语种
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中文 |
文献类型
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研究性论文 |
ISSN
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0253-4177 |
学科
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物理学 |
文献收藏号
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CSCD:262080
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