帮助 关于我们

返回检索结果

InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究

查看参考文献0篇

孙殿照 1   王晓亮 2   李晓兵 1   国红熙 1   阎春辉 1   李建平 1   朱世荣 1   李灵霄 1   曾一平 1   孙梅影 1   侯洵 2  
文摘 在国产第一台CEB(Chemical beam epitaxy)设备上,用GSMBE(Gas source molecular beam epitaxy)技术在国内首次研究了InGaAs/InP匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长,用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料,并用双晶X-射线衍射技术对样品进行了测试和分析。结果表明,我们在国产地一台CBE设备上用GSMBE技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好。
来源 半导体学报 ,1995,16(10):725 【核心库】
关键词 InGaAs/InP超晶格材料 ; GSMBE生长
地址

1. 中科院半导体所, 北京  

2. 中科院西安光学精密机械所, 陕西, 西安

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 物理学
文献收藏号 CSCD:262080

参考文献 共 0

引证文献 2

1 王晓亮 匹配In↓(0.53)Ga↓(0.47)As/InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析 半导体学报,1997,18(6):401
被引 0 次

2 柏劲松 GSGSMBE生长 1.84μm波长 InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器(英文) 半导体学报,2001,22(2):126
被引 0 次

显示所有2篇文献

论文科学数据集
PlumX Metrics
相关文献

 作者相关
 关键词相关

版权所有 ©2008 中国科学院文献情报中心 制作维护:中国科学院文献情报中心
地址:北京中关村北四环西路33号 邮政编码:100190 联系电话:(010)82627496 E-mail:cscd@mail.las.ac.cn 京ICP备05002861号-4 | 京公网安备11010802043238号