InGaAs/GaAs应变量子阱中的激光发光动力学

徐仲英 ¹ 罗昌平 ² 金世荣 ³ 许继宗 ² 郑宝真 ²

文摘	测量并分析了InGaAs/GaAs应变量子阱中的激子发光衰退特性,研究了激子发光寿命与In组分和阱宽的关系。发现In组分增大时,激子寿命变短,而发光寿命与阱宽的关系不大。文章分析了影响发光寿命的诸多因素,指出在InGaAs/GaAs量子阱中,由合金无序造成的散射对激子发光寿命有重要的影响。
来源	半导体学报 ,1995,16(2):101 【核心库】
关键词	InGaAs/GaAs应变量子阱 ; 激子发光动力学 ; 发光寿命
地址	1. 中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京, 100083 2. 中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 3. 西安交通大学电子科学系, 陕西, 西安
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	物理学
文献收藏号	CSCD:262079

参考文献共 2 共1页

	1. 徐仲英. Appl Phys Lett,1984,44:692	被引 1 次
	2. 徐仲英. Solid State Commun,1993,87:797	被引 2 次

引证文献 1 篇

1 Wang Yonggang Passive Q-Switching in a Flash-Lamp Pumped Nd：YAG Laserwith Ion-Implanted G aAs Wafer 半导体学报,2004,25(2):148-151
被引 6 次

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