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文摘
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报道了用MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性实验研究。已得到77K温度下迁移率为16.2×10~4cm~2/(V·s)的GaAs材料。样品的Hall测量结果表明:在较低的杂质浓度范围(1×10~(13)cm~(-3)＜n＜1×10~(15)cm~(-3))内,在大体相同的生长温度(590℃左右)下,选择适当的生长速率Gr会增强对浅受主杂质的抑制作用,同时也会一致Si的自补偿效应,减小杂质的补偿度N_a/N_d之值,从而提高MBE外延GaAs材料的迁移率。 |
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来源
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半导体学报
,1995,16(12):897 【核心库】
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关键词
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MBE生长
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掺Si
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高等这移率GaAs材料
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杂质补偿特性
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地址
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中科院半导体所, 北京
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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0253-4177 |
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学科
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物理学 |
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文献收藏号
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CSCD:262073
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