室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器

刘颖 ¹ 杜国同 ¹ 姜秀英 ¹ 刘素平 ¹ 张晓波 ¹ 赵永生 ¹ 高鼎三 ¹ 林世鸣 ² 康学军 ² 高洪海 ² 高俊华 ² 王红杰 ²

文摘	报道了室温连续激射的GaAs/GaAlAS新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果。该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的,这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的。对于直径15μm的钨丝,器件的最低值电流为17mA,最大光输出功率达4mW,微分量子效率高达65％。
来源	半导体学报 ,1995,16(12):951 【核心库】
地址	1. 吉林大学, 集成光电子学联合国家重点实验室, 吉林, 长春 2. 中科院半导体所, 北京
语种	中文
文献类型	简报
ISSN	0253-4177
学科	物理学
基金	国家863计划
文献收藏号	CSCD:261973

参考文献共 6 共1页

	1. Yang Y J. Appl Phys Lett,1991,58:1780	被引 6 次
	2. Du Guotong. Appl Phys Lett,1991,59:265	被引 1 次
	3. Lin J. Appl Phys Lett,1992,60:2851	被引 1 次
	4. Yang Y J. Electron Lett,1992,28:274	被引 1 次
	5. Du Guotong. ,1994	被引 1 次
	6. Du Guotong. Optical and Quantnm Electron,1993,25:745	被引 1 次

引证文献 2 篇

1 王海嵩钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器中国激光,2004,31(2):129-132
被引 0 次

2 王海嵩钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性半导体学报,2004,25(9):1143-1147
被引 2 次

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