用低能离子束淀积技术在硅（111）衬底上生长氧化铈外延薄膜

黄大定秦复光姚振钰刘志凯任治璋林兰英高维滨任庆余

文摘	采用质量分离的低能双离子束淀积(IBD)技术,在硅(111)衬底上共淀积,生长了氧化铈外延薄膜。椭圆偏振仪测得,膜厚2000A。俄歇能谱仪测得,外延层内铈、氧分布均匀,具有很好的正化学比。X射线双晶衍射得到明显的氧化铈(111),(222)峰,半高宽≤23''。
来源	半导体学报 ,1995,16(2):153 【核心库】
关键词	低能双离子束淀积（IBD）技术 ; 硅 ; 衬底 ; 氧化铈外延薄膜
地址	中科院半导体所, 北京
语种	中文
文献类型	简报
ISSN	0253-4177
学科	物理学
文献收藏号	CSCD:261953

参考文献共 3 共1页

	1. 黄大定. 质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究. 半导体学报,1993,14(8):509	被引 1 次
	2. 秦复光. Rev Sci Instrum,1991,62(10):2322	被引 2 次
	3. Su Shijun. Nucl Instr Meth B,1992,70:579	被引 1 次

引证文献 1 篇

1 黄大定对离子束外延氧化铈/硅热处理行为的初步研究半导体学报,1997,18(7):538
被引 2 次

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