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B改善单晶和多晶Ni3Al合金力学性能的微观机制
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文摘
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通过测量B含量从0.00至2.22at%的单晶和多晶Ni_3Al合金的正电子寿命谱,研究了单晶和多晶Ni_3Al合金中的微观缺陷和电子结构。结果表明,多晶Ni_3Al合金晶界中存在着开空间大于空位的缺陷。晶界缺陷处参与形成Ni-Ni和Ni-Al键的价电子浓度比基体或位错处的低,晶界是结合力弱化区域。偏聚到Ni_3Al合金缺陷上的B与缺陷处的Ni或Al原子形成强的共价键而增强了这些地方的结合力。以间隙方式固溶到Ni_3Al基体中的B与近邻的Ni或Al原子交互作用导致了基体中价电子浓度升高,键结合力增强。 |
来源
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物理学报
,1994,43(1):154 【核心库】
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DOI
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10.7498/aps.43.154
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关键词
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Ni3Al合金
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电子结构
;
微缺陷
;
正电子寿命谱
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地址
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中科院金属所, 辽宁, 沈阳, 110015
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语种
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中文 |
文献类型
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研究性论文 |
ISSN
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1000-3290 |
学科
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物理学 |
文献收藏号
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CSCD:249992
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参考文献 共
7
共1页
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1.
Liu C T.
Acta Metall,1985,33:213
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被引
84
次
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被引
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被引
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被引
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