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平面型InGaAs／InPAPD边缘提前击穿行为的抑制
Edge Breakdown Suppression of Planar-type InGaAs/lnP Avalanche Photodiodes

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文摘 平面型雪崩光电二极管（APD）在结弯曲处具有高的电场，导致在结边缘的提前击穿。运用FEMLAB软件对不同工艺流程制备的三种不同结构平面型InP／InGaAsAPD的电场分布进行了二维有限元模拟，在表面电荷密度为5×10^11cm^-2时分析了吸收层厚度、保护环掺杂浓度、保护环和中央结纵向及横向间距等因素对边缘提前击穿特性的抑制程度。比较了这三种结构的InP／InGaAsAPD在边缘提前击穿的抑制特性的优劣。通过理论研究对平面InP／InGaAsAPD进行了优化。
其他语种文摘 The edge pre-breakdown of from the intense electric field at the junct pla ion nar-type avalanche photodiode （APD） is resulted bend. A finite element two-dimensional （2-D） simulation is performed to study the electric field of planar-type APD with three different structures by the different process by using FEMLAB software fabricated. The absorption layer thickness, concentration of guard ring and guard ring spacing and deep in suppressing the edge pre-breakdown with surface charge of 5 × 10^11 cm^-2 are analyzed. The performances of InGaAs/InP APDs with different structure are compared. The planar-type APD structure is optimized theoretically.
来源 半导体光电 ,2006,27(3):278-281 【扩展库】
关键词 边缘击穿 ; 雪崩光电二极管 ; 结构
地址

中国科学院半导体研究所, 北京, 100083

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1001-5868
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:2448778

参考文献 共 6 共1页

1.  Liu Y. A planar InP/InGaAs avalanche photodiode with floating guard ring and double diffused junction. J Lightwave Technol,1992,10:182-192 被引 12 次    
2.  Liu Y. Simple very low dark current planar long-wavelength avalanche photodiode. Appl Phys Lett,1988,53:1311-1313 被引 3 次    
3.  Itzler M A. Planar bulk-InP avalanche photodiode design for 2. Proc ECOC'98,1998:59-60 被引 1 次    
4.  Itzler M A. Manufacturable planar bulk-InP avalanche photodiodes for 10 Gb/s applications. Proc.LEOS'99,1999:748-749 被引 1 次    
5.  Taguchi K. Planar-structure InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes with preferential lateral extended guard ring for 1. J Lightwave Technol,1988,6(11):1643-1655 被引 3 次    
6.  B.H.鲍尔塔克斯. 半导体中的扩散,1964:89-126 被引 1 次    
引证文献 1 篇

1 肖雪芳 平面型InP/InGaAs雪崩光电二极管多级台阶结构研究 半导体光电,2009,30(6):870-873
被引 0 次

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