用四极型SIMS对砷化镓中硅定量分析的研究

姜志雄 ¹ 查良镇 ¹ 陈新 ² 陈春华 ³ 王佑祥 ²

文摘	GaAs中Si的定量分析是典型的SIMS分析课题,有明确的应用背景。对影响SIMS定量分析的一些基本因素进行了实验研究,用O_2~+源和Cs~+源对均匀掺硅和离子注入硅GaAs样品进行了定量分析,考察了实验的稳定性。
来源	清华大学学报. 自然科学版 ,1994,34(4):32 【核心库】
关键词	二次离子质谱 ; 定量分析
地址	1. 清华大学电子工程系, 北京 2. 中科院, 表面物理国家重点实验室, 北京 3. 中国科学院半导体研究所, 表面物理国家重点实验室, 北京
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	1000-0054
学科	电子技术、通信技术
基金	国家自然科学基金
文献收藏号	CSCD:244791

参考文献共 1 共1页

1. 查良镇. 表面分析技术,1987

被引 3 次

引证文献 1 篇

1 姜志雄四极SIMS对Al↓xGa↓1-xAs中Si的定量分析半导体学报,1996,17(6):421
被引 1 次

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