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ZnO压敏/BaTiO3电容双功能多层器件
ZnO Varistor/BaTiO3 Capacitor Bifunctional Multilayer Devices

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曾祥明 1   康雪雅 1   张明 2   赵根妹 2  
文摘 研究了ZnO压敏/BaTiO3电容双功能多层器件,在共烧过程中瓷体分层和收缩的问题。通过调节BaTiO3瓷料和挚合剂的质量比为1:0.8,压敏陶瓷,粘合剂质量比为1:0.6,烧结温度1100℃和瓷体/瓷体的交界层,使BaTiO3体系电容器和ZnO压敏陶瓷电阻器的共烧器件,在宏观上匹配很好。这为其它相似元件的共烧提供了参考。
其他语种文摘 Researched was the delamination and shrankage of ZnO varistor/ BaTiO3 capacitor bifunctional multilayer device. Matched was the cofired device of ZnO varistor/ BaTiO3 capacitor in macroscopic by changing mass ratio 1:0.8 of dielectric ceramic/binder, sintering temperature of 1 100℃ and ceramic/ceramic interface, As a result, it is refered in other similar cofired components.
来源 电子元件与材料 ,2006,25(3):48-49,52 【扩展库】
关键词 电子技术 ; 压敏-电容双功能多层器件 ; 共烧 ; 匹配
地址

1. 中国科学院新疆理化技术研究所, 新疆, 乌鲁木齐, 830011  

2. 成都宏明电子科大新材料有限公司, 四川, 成都, 610100

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1001-2028
学科 电工技术
基金 国家863计划
文献收藏号 CSCD:2340813

参考文献 共 7 共1页

1.  Ramesh Raghavendra. Characterization of novel varistor+inductor integrated passive device[J]. IEEE Electron Device Lett,2004,25(12):778-780 被引 2    
2.  Francis J Toal. Processing and electrical characterization of varistor-capacitor cofire multilayer device[J]. J Am Ceram Soc,1998,81(9):2371 被引 2    
3.  Ramesh Raghavendra. Integrated passive device and method for producing such a device[P]. Integrated passive device and method for producing such a device.US-0043698,2002 被引 1    
4.  Ramesh Raghavendra. a simple IPD for combined transient & EMI suppression applications[J]. Featured Tech Pap,2002:13-34 被引 1    
5.  Sogabe Tomohiro. Multi-functional multilayer device and method for making[P]. Multi-functional multilayer device and method for making.US-5870273,1999 被引 1    
6.  左如忠. 异相陶瓷界面对多层陶瓷电容器介电特性的影响. 功能材料,2001,32(2):196 被引 2    
7.  郑昌琼. 新型无机材料[M]. 新型无机材料,2003:244-255 被引 1    
引证文献 1

1 马凤凯 氧化物掺杂ZnO-Ba0.8Sr0.2TiO3复合陶瓷的制备及电性能研究 电子元件与材料,2010,29(4):42-45
被引 0 次

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