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Cs/InP(100)界面相互作用性质的研究

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徐世红 1   徐彭寿 2   刘先明 3   朱警生 3   麻茂生 3   张裕恒 3   许振嘉 4  
来源 半导体学报 ,1994,15(12):820 【核心库】
关键词 Cs/InP(100)界面 ; 相互作用
地址

1. 中国科学技术大学, 结构分析开放实验室, 安徽, 合肥, 230026  

2. 中国科学技术大学, 同步辐射国家实验室, 安徽, 合肥  

3. 中国科学技术大学, 结构分析开放实验室, 安徽, 合肥  

4. 中科院半导体所, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 物理学;电子技术、通信技术
基金 国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:230147

参考文献 共 1 共1页

1.  徐世红. 物理学报 被引 2    
引证文献 1

1 刘英 基于第一性原理计算的C、Si、Ge的原子间相互作用势及晶格动力学 半导体学报,2002,23(12):1275-1280
被引 5

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