GaAs/AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究

王杏华 ¹ 郑厚植 ¹ 李承芳 ¹ 刘剑 ¹ 杨小平 ¹ 余琦 ² Reino Laiho ²

来源	半导体学报 ,1994,15(10):711 【核心库】
关键词	GaAs/AlGaAs ; 双量子阱 ; 量子相干特性
地址	1. 中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 2. 芬兰图尔库大学, 芬兰
语种	中文
文献类型	简报
ISSN	0253-4177
学科	物理学;电子技术、通信技术
文献收藏号	CSCD:230143

参考文献共 0

引证文献 1 篇

1 杨双波掺杂浓度和温度对δ 掺杂的Al_xGa_(1-x)As /GaAs双量子阱系统电子态结构和子带间光学吸收系数的影响南京师大学报. 自然科学版,2015,38(2):23-29
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杨小平 0000-0002-3680-628X

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