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MBE生长高质量GaAs/AlGaAs量子阱激光器

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来源 半导体学报 ,1994,15(9):650 【核心库】
关键词 分子束外延 ; GaAs/AlGaAs ; 量子激光器
地址

中科院半导体所, 北京

语种 中文
文献类型 简报
ISSN 0253-4177
学科 物理学;电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:230118

参考文献 共 6 共1页

1.  Chen H Z. Appl Phys Lett,1987,51:2094 被引 1 次    
2.  团体著者. ,1992 被引 319 次    
3.  徐俊英. AlGaAs/GaAs多量子阱激光器. 中国激光,1990,17:84 被引 4 次    
4.  Tsang W T. Appl Phys Lett,1981,39:134 被引 2 次    
5.  徐遵图. 半导体学报 被引 1 次    
6.  Tsang W T. Appl Phys Lett,1992,61(7):755 被引 3 次    
引证文献 5 篇

1 杨国文 高质量GaAs-AlGaAs材料MBE生长研究及其应用 半导体学报,1995,16(8):627
被引 2 次

2 郑联喜 MOCVD生长大功率单量子阱激光器 半导体学报,1996,17(5):392
被引 1 次

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