帮助 关于我们

返回检索结果

进一步提高氢离子敏场效应晶体管稳定性的研究

查看参考文献1篇

来源 半导体学报 ,1994,15(6):383 【核心库】
关键词 氢离子敏场效应管 ; 稳定性
地址

中科院半导体所, 传感技术联合国家重点实验室, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 物理学;电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:230065

参考文献 共 1 共1页

1.  陈克铭. 半导体学报,1992,12(12):721 被引 1 次    
引证文献 1 篇

1 牛蒙年 Si↓3N↓4绝缘栅中两种表面基对pH-ISFET器件敏感特性的影响 半导体学报,1996,17(7):522
被引 2 次

显示所有1篇文献

论文科学数据集
PlumX Metrics
相关文献

 作者相关
 关键词相关
 参考文献相关

版权所有 ©2008 中国科学院文献情报中心 制作维护：中国科学院文献情报中心
地址：北京中关村北四环西路33号 邮政编码：100190 联系电话：(010)82627496 E-mail:cscd@mail.las.ac.cn 京ICP备05002861号-4 | 京公网安备11010802043238号