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气态源分子束外延(AlGa)InP和GaInP/AlInP多量子阱材料

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袁瑞霞 1   阎春辉 2   国红熙 2   李晓兵 2   朱世荣 2   李灵肖 2   曾一平 2   孔梅影 2  
来源 半导体学报 ,1994,15(5):312 【核心库】
关键词 气态源分子束外延 ; (AlGa)InP ; CaInP/AlInP ; 多量子阱材料
地址

1. 中科院半导体所, 北京, 100083  

2. 中科院半导体所, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 物理学;电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:230050

参考文献 共 1 共1页

1.  Kuo J M. J Vac Sci Technol B,1992,10:959 被引 3    
引证文献 1

1 袁瑞霞 气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-V族化合物材料 半导体学报,1996,17(1):6
被引 1

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