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文摘
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为了获得不同补偿度的硅材料，采用高温气相扩散的方法，在n型硅中掺杂深能级杂质Zn，得到各种电阻率(在25℃T)的补偿硅。实验表明，对具有不同初始电阻率的硅材料，扩散后电阻率随扩散温度和杂质投入量的不同都有较大变化，而且随杂质投入量的增加，电阻率都有一个急剧变化的转折点。 |
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其他语种文摘
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In order to obtain compensated silicon having different compensation degrees, deep level Zn impurities were doped in n-type silicon using high temperature gaseous diffusion method. Compensated silicon materials having various resistivities (at 25"C) were obtained. It is show that resistivities after diffusion vary significantly with the increase of diffusion temperature and the quantity of diffusant for the materials having different initial resistivities. There is a turning point, where resistivity varies rapidly with the increase of diffusant quantity. |
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来源
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电子元件与材料
,2005,24(6):24-26 【扩展库】
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关键词
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电子技术
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深能级杂质
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反型
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固溶度
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亨利定律
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电离
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地址
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中国科学院新疆理化技术研究所, 新疆, 乌鲁木齐, 830011
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1001-2028 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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基金
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新疆乌鲁木齐市科技局科技攻关项目
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新疆乌鲁木齐市科技局科技攻关项目
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文献收藏号
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CSCD:2102853
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1.
张建. 高补偿硅的光敏感特性.
电子元件与材料,2004,23(3):20-22
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被引
2
次
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2.
刘会冲. 抑制浪涌电流用硅单晶热敏电阻器.
电子元件与材料,2004,23(2):18-20
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被引
3
次
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3.
张建. 补偿硅的温度敏感特性.
电子元件与材料,2004,23(5):23-24,28
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被引
12
次
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4.
施敏. 半导体物理器件 [M].
半导体物理器件,1987
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被引
1
次
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5.
傅献彩. 物理化学 [M].
物理化学,1982
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被引
1
次
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6.
Tu K N. Electronic Thin Film Sciences [M].
Electronic Thin Film Sciences,1992
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被引
2
次
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