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p型单晶硅涂源掺锰新方法
Study of Manganese Doped p-type Single Crystal Silicon in the Daubing Source

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文摘 研究了扩散源的浓度与掺杂后硅材料补偿度之间的关系。以MnCl2·4H2O乙醇溶液为扩散源，涂在初始电阻率为3．8Ω·cm的P型单晶硅片表面，在高温(1200℃)下掺杂锰后，在室温避光条件下，用SDY-5型双电翻四探针仪测样品电阻率p。改变扩散源的浓度重复实验，用XRD对扩散后的样品进行分析，结果表明：当硅片表面浓度为23、4×10^-8mol／cm^2时，扩散后样品体电阻率的径向不均匀度在5％以内，扩散后硅片的补偿度最大。
其他语种文摘 MnCl2 ? 4H2O ethanol solution was daubed to a surface of p-type single crystal Si disc of 3.8 Q. ? cm as a Mn dopant source, and the sample was heated at 1 200 °C to do Mn diffusion. Experiments were repeated by changing concentration of the solution and obtaining different surface density of daubed source. Resistivities of the doped samples were measured with SDY-5 four-probe device at room temperature and photophobic condition. The samples were also analyzed using X-ray diferaction method. Experimental results show that resistivity and compensation degree of the doped samples both obtain maximum values when surface density of the daubed source is 23.4xlO"8 mol/cm2, while radial uniformity of resistivity of the sample is within 5%.
来源 电子元件与材料 ,2005,24(6):21-23 【扩展库】
关键词 电子技术 ; 扩散源 ; 补偿度 ; 固相反应 ; 锰硅化物
地址

中国科学院新疆理化技术研究所, 新疆, 乌鲁木齐, 830011

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1001-2028
学科 电子技术、通信技术
基金 国家外国专家局项目 ;  中国科学院西部之光人才培养计划
文献收藏号 CSCD:2102852

参考文献 共 7 共1页

1.  刘恩科. 半导体物理学 [M]. 半导体物理学,1998 被引 27 次    
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引证文献 2 篇

1 董茂进 Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性 功能材料,2009,40(1):37-39
被引 0 次

2 张希涛 金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究 电子元件与材料,2011,30(6):29-32
被引 1 次

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