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深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性
Compensation Characteristics of Deep Energy Level Impurity Zn to n-Type Silicon
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文摘
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为得到高B值(材料常数)的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析.结果表明:这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值为6300K左右,其阻值对温度的依赖关系与杂质的补偿程度有关. |
其他语种文摘
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In order to obtain mono-crystal silicon thermistor material having high B-value, deep energy level impurity Zn is doped into n-type silicon using a high temperature gas phase diffusion method. Highly compensated silicon material is obtained. The characteristics of the material are measured and analyzed. It is shown that the compensated silicon material has thermally sensitive characteristics. The B-constant of the material is about 6300K and the resistance-temperature relationship of the material depends on the compensation degree of impurities. |
来源
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半导体学报
,2005,26(6):1140-1143 【核心库】
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关键词
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深能级杂质
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费米能级
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多数载流子
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补偿度
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地址
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中国科学院新疆理化技术研究所, 新疆, 乌鲁木齐, 830011
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语种
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中文 |
文献类型
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研究性论文 |
ISSN
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0253-4177 |
学科
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电子技术、通信技术 |
基金
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中国科学院西部之光人才培养计划
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文献收藏号
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CSCD:2091726
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参考文献 共
10
共1页
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1.
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