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深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性
Compensation Characteristics of Deep Energy Level Impurity Zn to n-Type Silicon

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文摘 为得到高B值(材料常数)的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析.结果表明:这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值为6300K左右,其阻值对温度的依赖关系与杂质的补偿程度有关.
其他语种文摘 In order to obtain mono-crystal silicon thermistor material having high B-value, deep energy level impurity Zn is doped into n-type silicon using a high temperature gas phase diffusion method. Highly compensated silicon material is obtained. The characteristics of the material are measured and analyzed. It is shown that the compensated silicon material has thermally sensitive characteristics. The B-constant of the material is about 6300K and the resistance-temperature relationship of the material depends on the compensation degree of impurities.
来源 半导体学报 ,2005,26(6):1140-1143 【核心库】
关键词 深能级杂质 ; 费米能级 ; 多数载流子 ; 补偿度
地址

中国科学院新疆理化技术研究所, 新疆, 乌鲁木齐, 830011

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 中国科学院西部之光人才培养计划
文献收藏号 CSCD:2091726

参考文献 共 10 共1页

1.  翟继卫. 相界势垒对高B值高电导率NTC热敏材料电特性的影响. 功能材料,1997,28(2):174 被引 3    
2.  翟继卫. 抑制浪涌电流用NTC热敏电阻器. 电子元件与材料,1996,15(4):33 被引 7    
3.  刘会冲. 抑制浪涌电流用硅单晶热敏电阻器. 电子元件与材料,2004,23(2):18 被引 3    
4.  张建. 高补偿硅的光敏感特性. 电子元件与材料,2004,23(3):20 被引 2    
5.  张建. 高补偿硅的阻-温特性. 电子元件与材料,2004,23(4):19 被引 4    
6.  张建. 补偿硅的温度敏感特性. 电子元件与材料,2004,23(5):24 被引 2    
7.  张建. 补偿硅的温度敏感特性. 电子元件与材料,2004,23(6):23 被引 12    
8.  Sze S M. Physics of semiconductor devices. Physics of semiconductor devices(2nd Edition),1981 被引 5    
9.  徐开先. 热敏电阻器. 热敏电阻器,1983:15 被引 1    
10.  Wang S. Solid State Electronics,1966:140 被引 3    
引证文献 5

1 陈朝阳 掺锰硅材料的电流振荡特性 半导体学报,2006,27(9):1582-1585
被引 1

2 董茂进 Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性 功能材料,2009,40(1):37-39
被引 0 次

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