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Er离子在Inp、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰

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章蓓 1   陈孔军 1   王舒民 1   虞丽生 1   郑婉华 2   徐俊英 3   徐天冰 4   朱沛然 4   盖秀贞 4  
文摘 分别在InP、GaAs和Si中以7×10＜′14＞和1×10＜′15＞cm＜′-2＞的剂量进行Er离子注入, 并采用闭管、快速和炉退火等热处理。低温光致发光（PL）、反射式高等电子衍射和卢瑟福背散射实验研究表明, 上述样品中Er＜′3＋＞离子特征发光的中心波长均出现在1．5μm处, 其中InP的发光峰最强, 而注入损伤的恢复是影响Er＜′3＋＞发光的重要因素之一。卢瑟福背散射分析进一步证实退火后Er原子在Si中向表面迁移, 而在InP中的外扩散较小, 并比较了Er在InP和Si晶格中的占位情况。图7参12
来源 红外与毫米波学报 ,1993,12(2):127 【核心库】
地址

1. 北京大学, 北京  

2. 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京  

3. 中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京  

4. 北京中关村地区测试分析中心, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1001-9014
学科 物理学
基金 国家教育部项目
文献收藏号 CSCD:207931

参考文献 共 4 共1页

1.  曹望和. 退火损伤对Er注入GaAs和Yb注入InP发光的影响. 半导体学报,1991,12(2):80 被引 3 次    
2.  陈孔军. ,1992 被引 1 次    
3.  徐天冰. ,1992 被引 1 次    
4.  朱沛然. ,1992 被引 1 次    
引证文献 2 篇

1 周必忠 稀土Er离子注入InP晶体中Er发光中心的形成和光激发机制 光谱学与光谱分析,1994,14(6):5
被引 2 次

2 李仪 氧和铒共注入硅的卢瑟福背散射和发光研究 发光学报,1996,17(4):346
被引 1 次

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