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Pt/Si界面反应与肖特基势垒形成的研究

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文摘 详细研究了Pt/Si和Pt硅化物/Si界面的反应性质、原子结构及杂质/缺陷分布,讨论了它们对肖特基势垒的形成、势垒特性和势垒高度的影响。
来源 红外与毫米波学报 ,1993,12(5):385 【核心库】
地址

中科院半导体所, 表面物理国家重点实验室, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1001-9014
学科 物理学
基金 国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:207921

参考文献 共 3 共1页

1.  丁孙安. ,1992 被引 3    
2.  陆家和. 表面分析技术,1987 被引 50    
3.  季明荣. 半导体学报,1988,9:524 被引 3    
引证文献 2

1 丁孙安 氢等离子体对(Pt及其硅化物)/Si界面的杂质/缺陷态和势垒的影响 半导体学报,1994,15(6):367
被引 0 次

2 丁孙安 (Pt及其硅化物)/硅界面的深能级研究 半导体学报,1994,15(3):149
被引 1

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