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大规模存储器电离辐射试验方法
A Test Method for Ionizing Radiation Effects in Very Large Scale Memory Devices
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文摘
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提出了大规模存储器总剂量效应实验方法,给出了随机存储器(SRAM)、电擦除电编程只读存储器(EEPROM) 和闪速存储器(Flash ROM)的60Co γ总剂量效应,以及辐照后在100 ℃高温条件下退火的实验结果.对实验现象进行了分析. |
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其他语种文摘
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A method for testing total dose effects (TDE) in very large-scale memory devices is presented. Exper-imental results of60 Co y TDE' sand post-irradiation annealing at 100 "C forSRAM's, EEPROM's and flash ROM3 s are described. And mechanism of TDE in very large-scale memory devices is analyzed. |
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来源
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微电子学
,2005,35(5):489-492 【扩展库】
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关键词
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测试方法
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电离辐射
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总剂量效应
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存储器
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地址
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中国科学院,新疆理化技术研究所, 新疆, 乌鲁木齐, 830011
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1004-3365 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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文献收藏号
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CSCD:2041204
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参考文献 共
10
共1页
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