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文摘
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介绍了在干氧和氢氧合成两种不同工艺和不同栅氧层厚度情况下,CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律.并通过对其单管特性及内部单元电路辐照变化的分析比较,探讨了栅氧层厚度的变化与运放电路辐照损伤之间的相互依赖关系.结果显示,适当地减薄栅氧层厚度,可相应地减少辐照感生氧化物电荷和界面态引起的跨导衰降,从而使CMOS运放电路的抗辐射特性得到明显的改善. |
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其他语种文摘
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By comparing the characteristic changes of transistors, subsidiary and entire circuits of CMOS amplifiers with different thickness of gate oxide layer, influence of the thickness of gate oxide layer on the op-amps' irradiation response was investigated. It was shown that by lessening the thickness of gate oxide layer properly, degradation of transconductance of the op-amps' transistors induced by radiation-generated oxide charges and interface states can be reduced, therefore, the ability of CMOS amp to resist radiation can be improved. |
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来源
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核技术
,2005,28(3):227-230 【核心库】
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关键词
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CMOS运算放大器
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跨导
;
栅氧层
;
氧化物电荷
;
界面态
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地址
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1.
中国科学院新疆理化技术研究所, 新疆, 乌鲁木齐, 830011
2.
新疆大学, 新疆, 乌鲁木齐, 830046
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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0253-3219 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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文献收藏号
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CSCD:1991465
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1.
Derbenwick G F. IEEE Trans Nucl Sci.
IEEE Trans Nucl Sci,1975,22(6):2151-2156
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被引
1
次
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2.
Viswanathan C R. IEEE Trans Nucl Sci.
IEEE Trans Nucl Sci,1976,23(6):1540-1545
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被引
1
次
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3.
Ma T P. Appl Phys Lett.
Appl Phys Lett,1975,27(11):615-617
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被引
4
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4.
Saks N S. IEEE Trans Nucl Sci.
IEEE Trans Nucl Sci,1986,33(6):1185-1187
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被引
10
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5.
陆妩. CMOS运算放大器的质子和γ辐照效应.
核电子学与探测技术,1997,17(5):370-375
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3
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6.
陆妩. CMOS运算放大器的总剂量辐射响应和时间退火特性.
核技术,1997,20(12):753-758
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被引
8
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7.
陆妩. CMOS运算放大器在不同辐射环境下的辐照响应.
核技术,1999,22(12):42-47
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7
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8.
王国定. CMOS模拟集成电路的应用.
CMOS模拟集成电路的应用,1985
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4
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9.
陆妩. 栅氧化方式对N沟输入CMOS运算放大器电离辐射效应的影响.
半导体学报,2001,22(5):656-659
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2
次
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