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(CdTe)↓m(ZnTe)↓n-ZnTe多量子阱结构的静压光致发光和共振喇曼散射研究
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来源
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半导体学报
,1993,14(4):199 【核心库】
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地址
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1.
中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京
2.
中国科学院, 上海
3.
中科院上海技术物理所, 上海
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语种
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中文 |
文献类型
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研究性论文 |
ISSN
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0253-4177 |
学科
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物理学;电子技术、通信技术 |
基金
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:199100
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参考文献 共
7
共1页
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1.
赵学恕.
半导体学报,1986,7:453
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被引
3
次
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2.
李国华.
Phys Rev B,1989,40:10430
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被引
6
次
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3.
李国华. 不同阱宽的In↓xGa↓(1-x)As/GaAs应变量子阱的压力行为.
半导体学报,1991,12:177
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被引
3
次
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4.
Li J.
J Cryst Growth,1991,111:736
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被引
2
次
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5.
李国华.
半导体学报,1993,14:75
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被引
1
次
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6.
张晓峰. 分子束外延生长CdTe/ZnTe超晶格室喇曼散射.
红外与毫米波学报,1991,10:169
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被引
3
次
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7.
Feng Z C.
Phys Rev B,1989,39:12997
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被引
2
次
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